西湖大学工学院孔玮团队提出β-Ga₂O₃ (100)面的单晶同质外延方法

西湖大学工学院孔玮团队开发了一种新方法，首次在无斜切的β-Ga2O3 (100)面上实现了单晶同质外延。该方法通过引入过量铟(In)作为表面活性剂，并在高Ga/O比的生长条件下，有效促进了不稳定孪晶的分解，显著提高了Ga原子的表面扩散长度，从而实现了单晶外延生长。这一突破克服了传统外延中常见的孪晶缺陷问题，为基于β-Ga2O3 (100)面外延片开发高性能器件提供了新的途径。研究还建立了In参与的β-Ga2O3 (100)面同质外延生长的相图，为优化外延工艺提供了理论依据。