Nature Materials报道南京理工大学曾海波、陈翔教授团队最新研究进展

南京理工大学曾海波、陈翔教授团队在《Nature Materials》上发表了一项关于高性能二维P型半导体材料β-Bi2O3的研究。该研究解决了传统硅基半导体技术面临的“短沟道效应”和“功耗激增”问题，通过盐-氧辅助化学气相沉积方法，成功制备出原子级薄、高质量的非层状二维β-Bi2O3晶体。研究团队发现了一种独特的气-液-固-固（VLSS）生长机制，并实现了室温下空穴迁移率136.6 cm2V-1s-1、电流开关比1.2 × 108的二维P型β-Bi2O3场效应晶体管。这一成果不仅为二维非层状材料的合成提供了新思路，也为非层状P型半导体在电子学器件中的应用奠定了基础。