华南理工大学，Matter！

本研究由华南理工大学庄磊副教授和褚衍辉研究员团队在Matter期刊上发表，探讨了通过晶格畸变工程策略提升高熵二硼化物（HEBs）的电磁波吸收性能。研究采用超快速高温合成技术（UHTS）合成了从3到9元的高熵二硼化物样品，并发现晶格畸变能显著增强材料的电磁波吸收性能。实验结果表明，具有最大晶格畸变的9元高熵二硼化物在1.5毫米的厚度下实现了7.2吉赫兹的有效吸收带宽，优于以往报道的单相电磁波吸收材料。这一成果不仅展示了UHTS技术在高性能电磁波吸收材料开发中的潜力，也为提升陶瓷材料的电磁波吸收性能提供了新路径。