二维材料生长新方法 登上Nature!!!

本文介绍了首尔大学Gwan-Hyoung Lee团队在Nature上发表的一项关于二维材料生长的新方法——hypotaxy。该方法通过非外延衬底上的模板导向生长，解决了传统外延生长二维过渡金属硫族化合物（TMDs）在衬底选择、厚度控制及晶圆级单晶合成上的局限性。hypotaxy方法不仅突破了传统外延的衬底限制，还通过石墨烯模板引导的晶体对齐机制，实现了跨衬底的晶体一致性。此外，该方法还实现了精确的厚度控制与材料性能优化，低温工艺兼容后端集成，以及普适性与可扩展性。这些创新点为TMDs在集成电路和异质结器件中的实际应用提供了新路径。