二维半导体“芯”突破：复旦大学在晶圆级二维CMOS工艺上迈出关键一步

本文介绍了复旦大学在二维半导体CMOS工艺上的重要突破。研究背景指出，二维半导体因其原子级厚度和优异的电子传输性能，被视为未来集成电路的理想材料。研究目的是解决二维半导体与硅基CMOS工艺的兼容性问题，特别是异质材料集成和原子层精准掺杂的挑战。复旦大学的研究团队通过创新设计，首次实现了基于二维同质MoTe2的4英寸晶圆级CMOS单片集成，展示了良好的工艺兼容性和高电压增益。结论表明，这一技术突破为未来二维CMOS集成电路的产业化应用提供了可行的解决方案，并为延续摩尔定律提供了新思路。