Nano Res.[理论]│具有超高隧道磁阻的二维横向磁隧道结

本文研究了二维横向磁隧道结（MTJ）的结构和磁性能，特别是CrSI单层及其Li吸附变体（Li-CrSI）的性能。研究发现，CrSI单层是一种铁磁性半导体，居里温度约为180 K，而Li-CrSI则表现出铁磁性半金属性质，居里温度高达300 K。通过设计沿a和b输运方向的横向Li-CrSI/CrSI/Li-CrSI单层MTJs，研究发现沿b输运方向的MTJ具有极高的隧道磁阻（TMR）值，达到7.67×10^14，显著高于沿a方向的TMR值。这一差异主要归因于两个方向自旋过滤能力的不同。研究结果为设计具有高TMR和高居里温度的横向MTJs提供了新的思路。