SiC在离解氧环境中的氧化特征新发现！北理工&南航&中国空气动力研究与发展中心最新研究成果发表Acta Materialia

本文研究了SiC在离解氧环境中的氧化行为，通过高频等离子体风洞实验，观察到了SiC表面二氧化硅的生成和氧化层厚度的减少。研究采用线性-抛物线曲线拟合实验数据，结合分子动力学模拟和空气动力学计算，发现SiC的氧化过程受离解氧通过二氧化硅晶体结构中的通道扩散控制，而二氧化硅的损失则是由其升华控制。这些发现为确定飞行器高速飞行过程中碳化硅材料的失效边界提供了理论基础。研究结果发表在《Acta Materialia》期刊上，为SiC材料在实际飞行过程中的应用极限条件提供了理论和经验支撑。