二氧化碲（TeO2）可为p型半导体？

本文探讨了二氧化碲（TeO2）是否可以作为p型半导体的问题。背景中，尽管有研究报道TeO2表现出p型半导体特性，但这些发现与基本的半导体物理知识相矛盾，引发了科学界的关注和困惑。研究目的是通过第一性原理计算和掺杂极限法则，澄清TeO2的电学特性。研究结果表明，由于Te 5s轨道能级较深，无法有效与O 2p轨道杂化，TeO2的价带顶较深，超出了p型掺杂的极限，因此TeO2本质上具有绝缘特性，无法通过掺杂成为p型半导体。结论指出，之前观察到的p型半导体行为可能源于其他杂相，而非TeO2本身，这一发现有助于科研人员更准确地理解TeO2的性质，避免不必要的科研投入。