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高分子科学前沿 2024-11-21 07:37
文章摘要
本文由河南大学申怀彬教授、陈斐博士、中国科学技术大学樊逢佳教授、北京交通大学唐爱伟教授共同完成,发表于《Nature》。文章探讨了基于绿色磷化铟(InP)的量子点发光二极管(QD-LED)的效率和工作寿命问题。研究发现,ZnSeS中间层的高注入势垒是导致效率低下的主要原因。通过使用电激发瞬态吸收光谱,研究团队发现替换ZnSeS中间层为加厚的ZnSe层可以显著改善电子注入和降低泄漏,从而在绿色InP基QD-LED中实现了26.68%的峰值外部量子效率和1241小时的T95寿命。这一发现为无镉QD-LED的显示和照明技术提供了新的工程指南。
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