氧化物半导体团队在非易失性光电存储领域取得新进展
计算材料学
2024-11-17 14:10
文章摘要
松山湖材料实验室梅增霞研究员团队与山东理工大学张永晖博士等合作者联合开发了一种新型非易失性光电存储技术，通过利用β-Ga2O3/SiO2 TFT结构中的边界陷阱，实现了光生电子和空穴的空间分离，从而延长了数据存储时间至10年以上。该技术不仅提高了存储时间，还具备快速的写入和擦除速度，以及良好的鲁棒性和稳定性。这一研究成果为高性能非易失性光电存储器件的构建提供了新策略，并为半导体器件的缺陷应用提供了新思路。相关研究发表于Nano Letters期刊。
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