ACS AMI 亮点速递 | 通过专用Pass Gate实现无Pass干扰的3D NAND 存储设计

本文介绍了美国圣母大学倪凯教授团队在ACS Applied Materials & Interfaces上发表的研究，提出了一种通过专用Pass Gate实现无Pass干扰的3D NAND存储设计。背景上，3D NAND闪存因其高密度和低成本成为数字存储系统的主流，但面临存储操作中的干扰问题。研究目的在于解决垂直NAND存储中的pass干扰问题，通过双端口FeFET结构实现无干扰操作。结论显示，该设计不仅解决了FeFET在NAND应用中的障碍，还能扩展到垂直NAND闪存存储中，具有重要的应用前景。