《Nature Electronics》：剑桥大学突破二维器件技术瓶颈
材料科学与工程
2024-09-07 18:32
文章摘要
剑桥大学在《Nature Electronics》上发表的论文探讨了二维过渡金属二硫化物（TMDs）在电子设备中的应用及其面临的挑战。文章指出，尽管TMDs在电子、光电及光子学领域展现出优异性能，但其高缺陷密度和界面问题限制了器件性能的提升。研究团队提出了通过优化材料质量和界面来解决这些问题的策略，包括开发高质量的TMDs材料、探索新的掺杂技术以及寻找与二维材料兼容的高介电常数介质。这些研究旨在克服技术瓶颈，实现高性能、稳定和可扩展的二维TMDs电子器件。
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