1997 IEEE Hong Kong Proceedings Electron Devices Meeting
Pub Date : 1997-08-30
DOI:10.1109/HKEDM.1997.642355
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摘要
讨论了SOI栅极控制混合晶体管中的反向偏置效应。实验结果表明，反向偏压会引起跨导增强。此外，与传统的MOSFET相比，GCHT的反向效应得到了缓解。本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。
Back-gate bias effect in the SOI gate controlled hybrid transistor (GCHT)
Back-gate bias effect in SOI gate controlled hybrid transistor is discussed. Experimental results show the transconductance enhancement caused by the back-gate bias. Furthermore, the back-gate effect is alleviated in GCHT compared with conventional MOSFET.
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