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1997 IEEE Hong Kong Proceedings Electron Devices Meeting - 最新文献
Microwave-frequency operation of resonant tunneling high electron mobility transistors
Pub Date : 1997-08-30 DOI: 10.1109/HKEDM.1997.642343 K.J. ChenA new threshold voltage model for deep-submicron MOSFET's with nonuniform substrate dopings
Pub Date : 1997-08-30 DOI: 10.1109/HKEDM.1997.642326 Wen-liang Zhang, Zhi-lian YangStructural and photoelectric studies on double barrier quantum well infrared detectors
Pub Date : 1997-08-30 DOI: 10.1109/HKEDM.1997.642344 W. G. Wu, D. Jiang, L. Cui, C. Song, Y. Zhuang
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