Aspects and Reduction of Miller Capacitance of Lateral Tunnel FETs

2018 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK) Pub Date : 2018-06-01 DOI:10.1109/IMFEDK.2018.8581961

Yuyang Jiang, Shingo Sato, Y. Omura, A. Mallik

引用次数: 0

Abstract

This paper discusses aspects of gate-to-drain capacitance (Miller capacitance) of lateral tunnel FETs (LTFETs). It is considered how to reduce the mirror capacitance of LTFET.

查看原文本刊更多论文

侧面隧道场效应管米勒电容的特点及减小方法

本文讨论了横向隧道场效应管(ltfet)的栅漏电容(Miller电容)。对如何减小LTFET的镜像电容进行了研究。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

2018 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK)

自引率

0.00%

发文量