ОЦЕНКА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК НАПОЛНЕННЫХ МОДИФИЦИРОВАННЫМ ТЕХНИЧЕСКИМ УГЛЕРОДОМ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ С ПОМО-ЩЬЮ МЕТОДА ЛОКАЛЬНЫХ БИНАРНЫХ ШАБЛОНОВ
{"title":"ОЦЕНКА ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК НАПОЛНЕННЫХ МОДИФИЦИРОВАННЫМ ТЕХНИЧЕСКИМ УГЛЕРОДОМ КОМПОЗИЦИОННЫХ МАТЕРИАЛОВ С ПОМО-ЩЬЮ МЕТОДА ЛОКАЛЬНЫХ БИНАРНЫХ ШАБЛОНОВ","authors":"Николаевна Минакова Наталья","doi":"10.25712/astu.2072-8921.2023.01.029","DOIUrl":null,"url":null,"abstract":"Резистивные полимерные композиционные материалы применяются в электроэнергетике, электрофизике и т.д. Неоднородная структура таких материалов, определяющая их свой-ства, затрудняет прогнозирование характеристик. Поэтому актуален поиск новых подходов к оценке свойств резистивных полимерных композиционных материалов Рассматриваются резистивные полимерные композиционные материалы на основе каучу-ков с модификацией поверхности технического углерода, в которые свойства во многом фор-мируются за счет регулирования степени агломерирования технического углерода и межфаз-ных взаимодействий между электропроводящим и связующим компонентами. Предложена оценка действия этих эффектов на структуру материалов по гистограммам текстур изоб-ражения макроструктуры с использованием метода локальных бинарных шаблонов. Применя-лись одноканальная и трехканальная (модель RGB) гистограммы. Для сравнения гистограмм структур рассчитывались расстояния Бхаттачария и Кульбака–Лейблера. Показана коррект-ность их применения к изображениям структур, наполненных техническим углеродом каучуков для оценки величины объемного электрического сопротивления и его изменения при эксплуата-ционных воздействиях (температура, агрессивная среда, сжимающая нагрузка). Сделан вывод о том, что использование в расчетах расстояния Кульбака–Лейблера при сравнении изображе-ний структур лучше отражает динамику электрофизических характеристик материалов при рассмотренных эксплуатационных воздействиях, чем сравнение гистограмм по расстоянию Бхаттачария","PeriodicalId":308965,"journal":{"name":"Ползуновский вестник","volume":"1 1","pages":"0"},"PeriodicalIF":0.0000,"publicationDate":"2023-04-18","publicationTypes":"Journal Article","fieldsOfStudy":null,"isOpenAccess":false,"openAccessPdf":"","citationCount":"0","resultStr":null,"platform":"Semanticscholar","paperid":null,"PeriodicalName":"Ползуновский вестник","FirstCategoryId":"1085","ListUrlMain":"https://doi.org/10.25712/astu.2072-8921.2023.01.029","RegionNum":0,"RegionCategory":null,"ArticlePicture":[],"TitleCN":null,"AbstractTextCN":null,"PMCID":null,"EPubDate":"","PubModel":"","JCR":"","JCRName":"","Score":null,"Total":0}
引用次数: 0
Abstract
Резистивные полимерные композиционные материалы применяются в электроэнергетике, электрофизике и т.д. Неоднородная структура таких материалов, определяющая их свой-ства, затрудняет прогнозирование характеристик. Поэтому актуален поиск новых подходов к оценке свойств резистивных полимерных композиционных материалов Рассматриваются резистивные полимерные композиционные материалы на основе каучу-ков с модификацией поверхности технического углерода, в которые свойства во многом фор-мируются за счет регулирования степени агломерирования технического углерода и межфаз-ных взаимодействий между электропроводящим и связующим компонентами. Предложена оценка действия этих эффектов на структуру материалов по гистограммам текстур изоб-ражения макроструктуры с использованием метода локальных бинарных шаблонов. Применя-лись одноканальная и трехканальная (модель RGB) гистограммы. Для сравнения гистограмм структур рассчитывались расстояния Бхаттачария и Кульбака–Лейблера. Показана коррект-ность их применения к изображениям структур, наполненных техническим углеродом каучуков для оценки величины объемного электрического сопротивления и его изменения при эксплуата-ционных воздействиях (температура, агрессивная среда, сжимающая нагрузка). Сделан вывод о том, что использование в расчетах расстояния Кульбака–Лейблера при сравнении изображе-ний структур лучше отражает динамику электрофизических характеристик материалов при рассмотренных эксплуатационных воздействиях, чем сравнение гистограмм по расстоянию Бхаттачария