Reliability life tests of E/D self-aligned gate MESFET process

2000 GaAs Reliability Workshop. Proceedings (IEEE Cat. No.00TH8513) Pub Date : 2000-11-05 DOI:10.1109/GAASRW.2000.902425

Xinxing Yang, P. Ersland

引用次数: 0

Abstract

We present details of the latest constant stress life test (CSLT) results from reliability tests of the self-aligned gate MESFET E/D process, and make a comparison of the reliability predictions from CSLT and step stress life tests (SSLT).

查看原文本刊更多论文

E/D自对准栅MESFET工艺可靠性寿命试验

本文详细介绍了自对准栅MESFET E/D工艺可靠性试验的最新恒定应力寿命试验(CSLT)结果，并对CSLT和阶梯应力寿命试验(SSLT)的可靠性预测进行了比较。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

2000 GaAs Reliability Workshop. Proceedings (IEEE Cat. No.00TH8513)

自引率

0.00%

发文量