Gas phase doping at room temperature

Extended Abstracts of the Third International Workshop on Junction Technology, 2002. IWJT. Pub Date : 1900-01-01 DOI:10.1109/IWJT.2002.1225196

Y. Sasaki, B. Mizuno, S. Akama, R. Higaki, K. Tsutsui, S. Ohomi, H. Iwai

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Abstract

This paper shows new technology of gas phase doping to realize lowest energy around room temperature thermal potential. Shallow junction formation around 1.5-2 nm is anticipated by gas phase doping.

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室温下的气相掺杂

本文展示了气相掺杂新技术，以实现室温热电势附近的最低能量。通过气相掺杂，有望形成 1.5-2 纳米左右的浅结点。

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Extended Abstracts of the Third International Workshop on Junction Technology, 2002. IWJT.

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