Corner effect in multiple-gate SOI MOSFETs

2003 IEEE International Conference on SOI Pub Date : 2003-11-03 DOI:10.1109/SOI.2003.1242919

W. Xiong, J. W. Park, J. Colinge

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Abstract

Separate formation of channels in corners and sides of triple-gate SOI MOSFETs is observed. This phenomenon degrades the I/sub on//I/sub off/ ratio and the subthreshold slope, but it is present only if high doping concentrations and corners with a small radius of curvature are used.

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2003 IEEE International Conference on SOI

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