Plasma doping for ultra-shallow junctions

1997 IEEE Hong Kong Proceedings Electron Devices Meeting Pub Date : 1997-08-30 DOI:10.1109/HKEDM.1997.642026

C. Chan, S. Qin

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Abstract

Plasma doping (PD) processes utilizing PH/sub 3//He and B/sub 2/H/sub 4//He plasmas to fabricate CMOS devices are presented. The applications of PD in ultra-shallow junctions are discussed. Low contamination levels and good device characteristics were achieved.

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超浅结的等离子体掺杂

介绍了利用PH/sub 3//He和B/sub 2/H/sub 4//He等离子体制备CMOS器件的等离子体掺杂工艺。讨论了PD在超浅结中的应用。实现了低污染水平和良好的设备特性。

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1997 IEEE Hong Kong Proceedings Electron Devices Meeting

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