An AFM study of surface morphology of commercial 6" SOI wafers

Proceedings of 1993 IEEE International SOI Conference Pub Date : 1993-10-05 DOI:10.1109/SOI.1993.344548

T. Neal, P.C. Karulkar

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Abstract

Work reported in this paper involved an extensive Atomic Force Microscopic investigation of the surface quality of 6" SIMOX SOI wafers without any epitaxy in conjunction with a study of reliability of 19 nm or 9 nm thick gate oxide. The results illustrate that AFM studies will allow rapid development of high quality SOI substrates and that AFM, when used as a quality control tool, will assure supply of quality substrates.<>

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6" SOI晶圆表面形貌的AFM研究

本文报告的工作包括对无外延的6" SIMOX SOI晶圆的表面质量进行了广泛的原子力显微镜研究，同时研究了19nm或9nm厚栅氧化物的可靠性。结果表明，AFM研究将允许快速开发高质量的SOI基板，并且当AFM用作质量控制工具时，将确保提供高质量的基板。

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Proceedings of 1993 IEEE International SOI Conference

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