Commercially Designed and Manufactured SDRAM SEE Data

2010 IEEE Radiation Effects Data Workshop Pub Date : 2010-07-20 DOI:10.1109/REDW.2010.5619497

C. Hafer, M. Von Thun, M. Leslie, F. Sievert, A. Jordan

引用次数: 3

Abstract

Abstract-- A commercially designed and manufactured 512Mb SDRAM is Single Event Latchup (SEL) immune and 100 krad(Si) TID tolerant. It is packaged for application use into both a 2.5Gb and a 3Gb MCM configuration [1]. The Single Event Effects (SEE) performance is reported.

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商业设计和制造的SDRAM SEE数据

摘要—商业设计和制造的512Mb SDRAM具有单事件锁存(SEL)免疫和100 krad(Si) TID耐受性。它被打包成2.5Gb和3Gb的MCM配置[1]供应用程序使用。报道了单事件效应(SEE)性能。

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2010 IEEE Radiation Effects Data Workshop

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