High power AlGaAs/GaAs HBTs and their application to mobile communications systems

Proceedings of International Electron Devices Meeting Pub Date : 1995-12-10 DOI:10.1109/IEDM.1995.499335

T. Yoshimasu

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Abstract

This paper addresses the power application of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs) to L-band mobile communications systems. From points of view of circuit and systems design, features of HBT technology are discussed and compared with those of GaAs MESFET technology.

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高功率AlGaAs/GaAs hbt及其在移动通信系统中的应用

本文研究了AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管(hbt)在l波段移动通信系统中的功率应用。从电路和系统设计的角度，讨论了HBT技术的特点，并与GaAs MESFET技术进行了比较。

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Proceedings of International Electron Devices Meeting

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