BiCMOS h/sub fe/ degradation: causes and circuit solution

Proceedings of IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting Pub Date : 1994-10-10 DOI:10.1109/BIPOL.1994.587893

C. McAndrew, I. Kizilyalli, J. Bude

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Abstract

h/sub fe/ degradation decreases BiCMOS speed and reliability. This paper presents the physical mechanisms of h/sub fe/ degradation, and a new, simple circuit technique that increases BiCMOS reliability and allows BiCMOS technologies to have lower breakdown voltages.

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BiCMOS h/sub /劣化:原因及电路解决方案

h/sub fe/劣化降低了BiCMOS的速度和可靠性。本文介绍了h/sub - fe/降解的物理机制，以及一种新的、简单的电路技术，可以提高BiCMOS的可靠性，并使BiCMOS技术具有更低的击穿电压。

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Proceedings of IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting

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