Resistive switching in metal-oxide-metal devices: Fundamental understanding in relation to material characterization

2013 IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM) Pub Date : 2013-09-01 DOI:10.1109/BCTM.2013.6798164

C. Vallée, C. Mannequin, P. Gonon, L. Latu-Romain, H. Grampeix, V. Jousseaume

引用次数: 1

Abstract

This emerging technology tutorial is focused on Resistive non-volatile memories based on a MIM structure with a high k dielectric such as HfO2.

查看原文本刊更多论文

金属-氧化物-金属器件中的电阻开关:对材料特性的基本理解

本新兴技术教程的重点是基于具有高k介电介质(如HfO2)的MIM结构的电阻性非易失性存储器。

本文章由计算机程序翻译，如有差异，请以英文原文为准。

求助全文

约1分钟内获得全文求助全文

来源期刊

自引率

0.00%

发文量