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2008 IEEE International Conference on Semiconductor Electronics - 最新文献
Electrical performance at high temperature and surge current of 1.2 kV power rectifiers: Comparison between Si PiN, 4H-SiC Schottky and JBS diodes
Pub Date : 2008-12-09 DOI: 10.1109/SMICND.2008.4703326 J. Millán, V. Banu, P. Brosselard, X. Jordà, A. Pérez‐Tomás, P. GodignonImproving the design of resistive distributed signal attenuators by shaping
Pub Date : 2008-12-09 DOI: 10.1109/SMICND.2008.4703432 A. Manolescu, A. ManolescuEffect of anomalous scattering and K-fluroscence reabsorption on the performance of selenium
Pub Date : 2008-12-09 DOI: 10.1109/SMICND.2008.4703366 A. Sultana, A. Reznik, K. Karim, J. Rowlands
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