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6259期刊缩写：
IEEE Trans. Nanotechnol.
影响因子：
2.1
ISSN：
print: 1536-125X
研究领域：
工程技术-材料科学：综合
h-index：
73
自引率：
8.30%
Gold OA文章占比：
8.41%
原创研究文献占比：
99.06%
SCI收录类型：
Science Citation Index Expanded (SCIE) || Scopus (CiteScore)
期刊介绍英文：
The IEEE Transactions on Nanotechnology is devoted to the publication of manuscripts of archival value in the general area of nanotechnology, which is rapidly emerging as one of the fastest growing and most promising new technological developments for the next generation and beyond.
CiteScore：
| CiteScore | SJR | SNIP | CiteScore排名 |
|---|---|---|---|
| 4.8 | 0.435 | 0.783 | 学科 排名 百分位 大类：Engineering 小类：Electrical and Electronic Engineering 278 / 797 65% 大类：Computer Science 小类：Computer Science Applications 330 / 817 59% |
发文信息
中科院SCI期刊分区
| 大类 | 小类 | TOP期刊 | 综述期刊 |
|---|---|---|---|
| 4区 工程技术 |
4区
工程：电子与电气
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
4区
材料科学：综合
MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
4区
纳米科技
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
4区
物理：应用
PHYSICS, APPLIED
|
否 | 否 |
WOS期刊分区
| 学科分类 |
|---|
Q3ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC Q3MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY Q3NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY Q3PHYSICS, APPLIED |
历年影响因子
| 2015年 | 1.7020 |
|---|---|
| 2016年 | 2.4850 |
| 2017年 | 2.8570 |
| 2018年 | 2.2920 |
| 2019年 | 2.1960 |
| 2020年 | 2.5700 |
| 2021年 | 2.9670 |
| 2022年 | 2.4000 |
| 2023年 | 2.1000 |
历年发表
| 2012年 | 219 |
|---|---|
| 2013年 | 208 |
| 2014年 | 203 |
| 2015年 | 190 |
| 2016年 | 188 |
| 2017年 | 198 |
| 2018年 | 218 |
| 2019年 | 163 |
| 2020年 | 127 |
| 2021年 | 124 |
| 2022年 | 74 |
投稿信息
出版周期：
Quarterly
出版语言：
English
出版国家(地区)：
UNITED STATES
接受率：
100%
审稿时长：
8.3 months
出版商：
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
编辑部地址：
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141
IEEE Transactions on Nanotechnology - 最新文献
Ultra-High Quality Factor NOMS Device Incorporating Photonic Crystal Cavity for Femto-Gram Sensing
Pub Date : 2024-11-29 DOI: 10.1109/TNANO.2024.3509444 Saurabh Agarwal;Kurmendra;Chandra Prakash;Sumar Kumar Mitra;Amitesh KumarAnalysis of Random Discrete Dopants Embedded Nanowire Resonant Tunnelling Diodes for Generation of Physically Unclonable Functions
Pub Date : 2024-11-22 DOI: 10.1109/TNANO.2024.3504963 Pranav Acharya;Ali Rezaei;Amretashis Sengupta;Tapas Dutta;Naveen Kumar;Patryk Maciazek;Asen Asenov;Vihar GeorgievSubstitutionally Doped Zigzag Germanium Sulfide Nanoribbon for Interconnect Applications: DFT-NEGF Approach
Pub Date : 2024-11-22 DOI: 10.1109/TNANO.2024.3504601 Banti Yadav;Pankaj Srivastava;Varun Sharma
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本页显示期刊或杂志信息，仅供参考学习，不是任何期刊杂志官网，不涉及出版事务，特此申明。如需出版一切事务需要用户自己向出版商联系核实。若本页展示内容有任何问题，请联系我们，邮箱：info@booksci.cn，我们会认真核实处理。
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