IEEE Transactions on Nanotechnology

IEEE Transactions on Nanotechnology
期刊缩写:
IEEE Trans. Nanotechnol.
影响因子:
2.1
ISSN:
print: 1536-125X
研究领域:
工程技术-材料科学:综合
h-index:
73
自引率:
8.30%
Gold OA文章占比:
8.41%
原创研究文献占比:
99.06%
SCI收录类型:
Science Citation Index Expanded (SCIE) || Scopus (CiteScore)
期刊介绍英文:
The IEEE Transactions on Nanotechnology is devoted to the publication of manuscripts of archival value in the general area of nanotechnology, which is rapidly emerging as one of the fastest growing and most promising new technological developments for the next generation and beyond.
CiteScore:
CiteScoreSJRSNIPCiteScore排名
4.80.4350.783
学科
排名
百分位
大类:Engineering
小类:Electrical and Electronic Engineering
278 / 797
65%
大类:Computer Science
小类:Computer Science Applications
330 / 817
59%
发文信息
中科院SCI期刊分区
大类 小类 TOP期刊 综述期刊
4区 工程技术
4区 工程:电子与电气 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
4区 材料科学:综合 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
4区 纳米科技 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
4区 物理:应用 PHYSICS, APPLIED
WOS期刊分区
学科分类
Q3ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Q3MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
Q3NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Q3PHYSICS, APPLIED
历年影响因子
2015年1.7020
2016年2.4850
2017年2.8570
2018年2.2920
2019年2.1960
2020年2.5700
2021年2.9670
2022年2.4000
2023年2.1000
历年发表
2012年219
2013年208
2014年203
2015年190
2016年188
2017年198
2018年218
2019年163
2020年127
2021年124
2022年74
投稿信息
出版周期:
Quarterly
出版语言:
English
出版国家(地区):
UNITED STATES
接受率:
100%
审稿时长:
8.3 months
出版商:
Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
编辑部地址:
IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141

IEEE Transactions on Nanotechnology - 最新文献

Toward a GHz-Frequency BEOL Ferroelectric Negative-Capacitance Oscillator with a Wide Tuning Range

Pub Date : 2024-07-18 DOI: 10.1109/tnano.2024.3430221 Ji Kai Wan, Collin VanEssen, Nuoyi Yang, Zhi Cheng Yuan, Prasad S. Gudem, Diego Kienle, Mani Vaidyanathan

Ab Initio Modeling of Doped/Undoped ArGNR Sensors for No2 Detection

Pub Date : 2024-07-02 DOI: 10.1109/TNANO.2024.3421334 Kamal Solanki;Swati Verma;Pankaj Kumar Das;P.P. Paltani;Manoj Kumar Majumder

Recessed Trench Gate AlGaN/GaN HEMT for pH Monitoring: Design and Sensitivity Evaluation

Pub Date : 2024-07-02 DOI: 10.1109/tnano.2024.3422181 Ritu Poonia, Lava Bhargava, Aasif Mohammad Bhat, C. Periasamy
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