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2016 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA) - 最新文献
Atomistic simulation of gate-all-around GaSb/InAs nanowire TFETs using a fast full-band mode-space NEGF model
Pub Date : 2016-04-25 DOI: 10.1109/VLSI-TSA.2016.7480492 A. Afzalian, M. Passlack, Y. YeoIndustrialization of Si-Photonics into a 300mm CMOS fab
Pub Date : 2016-04-25 DOI: 10.1109/VLSI-TSA.2016.7480504 F. Boeuf, Kirk OuelletteReRAM-based analog synapse and IMT neuron device for neuromorphic system
Pub Date : 2016-04-25 DOI: 10.1109/VLSI-TSA.2016.7480499 Kibong Moon, E. Cha, Daeseok Lee, Junwoo Jang, Jaesung Park, H. Hwang
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