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2013 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai - 最新文献
Artificial neural network using thin-film transistors - Working confirmation of asymmetric circuit -
Pub Date : 2013-06-05 DOI: 10.1109/IMFEDK.2013.6602249 Yuki Yamaguchi, Ryohei Morita, Yusuke Fujita, T. Miyatani, T. Kasakawa, M. KimuraHigh-voltage AlGaN/GaN HEMTs fabricated on free-standing GaN substrates
Pub Date : 2013-06-05 DOI: 10.1109/IMFEDK.2013.6602244 K. Akira, T. Asano, H. Tokuda, M. KuzuharaLow-power ultrahigh-speed wireless communication with short-millimeter-wave CMOS technology
Pub Date : 2013-06-05 DOI: 10.1109/IMFEDK.2013.6602221 M. Fujishima
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