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Proceedings of Bipolar/Bicmos Circuits and Technology Meeting - 最新文献
Predictive modelling of lateral scaling in bipolar transistors
Pub Date : 1995-10-02 DOI: 10.1109/BIPOL.1995.493870 D. Walkey, M. Schroter, S. VoinigescuThe p-MOS controlled lateral thyristor: A MOS controllable thyristor suitable for integration
Pub Date : 1995-10-02 DOI: 10.1109/BIPOL.1995.493898 W. Chen, G. AmaratungaEvidence for nonequilibrium base transport in Si and SiGe bipolar transistors at cryogenic temperatures
Pub Date : 1995-10-02 DOI: 10.1109/BIPOL.1995.493860 D. M. Richey, A. Joseph, J. Cressler, R. Jaeger
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