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2019 31st International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs (ISPSD) - 最新文献
Suppression of Bipolar Degradation in Deep-P Encapsulated 4H-SiC Trench MOSFETs up to Ultra-High Current Density
Pub Date : 2019-05-19 DOI: 10.1109/ISPSD.2019.8757567 Y. Ebihara, Junichi Uehara, Aiko Ichimura, Shuhei Mitani, M. Noborio, Y. Takeuchi, K. TsurutaA Predictive Gate Driver Suitable for Half-Bridge Applications
Pub Date : 2019-05-19 DOI: 10.1109/ISPSD.2019.8757590 Ze-kun Zhou, Yan-dong Yuan, Yunkun Wang, Bo Zhang, Yue ShiMagnetics in the GaN/SiC Power Electronics World
Pub Date : 2019-05-19 DOI: 10.1109/ISPSD.2019.8757684 A. Gerfer
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