Semiconductor Science and Technology

SCI期刊
Semiconductor Science and Technology
中文名称:
半导体科技
期刊缩写:
Semicond. Sci. Technol.
影响因子:
1.9
ISSN:
print: 0268-1242
on-line: 1361-6641
研究领域:
工程技术-材料科学:综合
h-index:
99
自引率:
5.30%
Gold OA文章占比:
10.23%
原创研究文献占比:
97.31%
SCI收录类型:
Science Citation Index Expanded (SCIE) || Scopus (CiteScore)
期刊介绍英文:
Devoted to semiconductor research, Semiconductor Science and Technology''s multidisciplinary approach reflects the far-reaching nature of this topic. The scope of the journal covers fundamental and applied experimental and theoretical studies of the properties of non-organic, organic and oxide semiconductors, their interfaces and devices, including: fundamental properties materials and nanostructures devices and applications fabrication and processing new analytical techniques simulation emerging fields: materials and devices for quantum technologies hybrid structures and devices 2D and topological materials metamaterials semiconductors for energy flexible electronics.
CiteScore:
CiteScoreSJRSNIPCiteScore排名
4.30.4110.741
学科
排名
百分位
大类:Engineering
小类:Electrical and Electronic Engineering
305 / 797
61%
大类:Physics and Astronomy
小类:Condensed Matter Physics
167 / 434
61%
大类:Materials Science
小类:Materials Chemistry
137 / 317
56%
大类:Materials Science
小类:Electronic, Optical and Magnetic Materials
126 / 284
55%
发文信息
中科院SCI期刊分区
大类 小类 TOP期刊 综述期刊
4区 工程技术
4区 工程:电子与电气 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
4区 材料科学:综合 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
4区 物理:凝聚态物理 PHYSICS, CONDENSED MATTER
WOS期刊分区
学科分类
Q3ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Q3MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY
Q3PHYSICS, CONDENSED MATTER
历年影响因子
2015年2.0980
2016年2.3050
2017年2.2800
2018年2.6540
2019年2.3610
2020年2.3520
2021年2.0480
2022年1.9000
2023年1.9000
历年发表
2012年296
2013年232
2014年273
2015年309
2016年284
2017年326
2018年299
2019年360
2020年430
2021年347
2022年216
投稿信息
出版周期:
Monthly
出版语言:
English
出版国家(地区):
ENGLAND
接受率:
100%
审稿时长:
2.4 months
出版商:
IOP Publishing Ltd.
编辑部地址:
IOP PUBLISHING LTD, DIRAC HOUSE, TEMPLE BACK, BRISTOL, ENGLAND, BS1 6BE

Semiconductor Science and Technology - 最新文献

Effect of atomic layer deposition process parameters on TiN electrode for Hf0.5Zr0.5O2 ferroelectric capacitor

Pub Date : 2024-09-12 DOI: 10.1088/1361-6641/ad7637 Hongbo Li, Jian Zhang, Chongyong Guo, Yuanya Liu, Chunyan Liu, Yu Wang, Jianjun Li, Hui Yuan and Xingcheng Jin

The effect of temperature on the electrical characteristics of zigzag and armchair black phosphorus based 2D MOSFET

Pub Date : 2024-09-11 DOI: 10.1088/1361-6641/ad7639 Tanmoy Majumder, Chandrima Mukherjee, Sudeb Dasgupta, Udayan Chakraborty, Narottam Das and Abhishek Bhattacharjee

The ab initio study of n-type nitrogen and gallium co-doped diamond

Pub Date : 2024-09-11 DOI: 10.1088/1361-6641/ad7673 Zhen Wang, Peng Jin, Pengfei Qu, Dunzhou Xu, Xiaodi Huo, Ju Wu and Zhanguo Wang
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