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2018 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Application (VLSI-TSA) - 最新文献
UTBSOI MOSFET with corner spacers for energy-efficient applications
Pub Date : 2018-07-03 DOI: 10.1109/VLSI-TSA.2018.8403825 A. Sachid, C. HuElectrical characteristics of gate-all-around MOSFET ring oscillators using TCAD simulation
Pub Date : 2018-07-03 DOI: 10.1109/VLSI-TSA.2018.8403835 Sutae Kim, Minsuk Kim, Sola Woo, Hyungu Kang, Sangsig KimSteep slope 2D strain field effect transistor: 2D-SFET
Pub Date : 2018-07-03 DOI: 10.1109/VLSI-TSA.2018.8403841 Daniel S. Schulman, Andrew J Arnold, Saptarshi Das
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