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2010 International Workshop on Junction Technology Extended Abstracts - 最新文献
Nickel silicide formation on Si(110) substrate
Pub Date : 2010-05-10 DOI: 10.1109/IWJT.2010.5474895 Xiao Guo, Xiao-Rong Wang, Yu-Long Jiang, G. Ru, Bingzong LiSidewall resistance reduction for FinFETs by B2H6/Helium Self-Regulatory Plasma Doping process
Pub Date : 2010-05-10 DOI: 10.1109/IWJT.2010.5474972 Y. SasakiCarrier activation in cluster boron implanted Si
Pub Date : 2010-05-10 DOI: 10.1109/IWJT.2010.5474917 H. Onoda, N. Hamamoto, T. Nagayama, M. Tanjyo, S. Umisedo, N. Maehara, Y. Kawamura, Y. Nakashima, M. Hashimoto, H. Yoshimi, S. Sezaki, K. Kawakami, J. Reyes, S. Prussin
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