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Proceedings of International Symposium on Power Semiconductor Devices and IC's: ISPSD '95 - 最新文献
A closed-form physical back-gate-bias dependent quasi-saturation model for SOI lateral DMOS devices with self-heating for circuit simulation
Pub Date : 1995-05-31 DOI: 10.1109/ISPSD.1995.515057 C.M. Liu, F. Shone, J. KuoSimulations and measurements of emitter properties in 5 kV Si PIN diodes
Pub Date : 1995-05-23 DOI: 10.1109/ISPSD.1995.515067 O. Tornblad, M. Domeij, B. Breitholtz, J. Linnros, M. OstlingHigh-efficiency performance of microwave power 4H-SiC amplifiers
Pub Date : 1995-05-23 DOI: 10.1109/ISPSD.1995.515088 M. Shin, T.J. Kordas, R. Trew
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