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Extended Abstracts of the 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials - 最新文献
Width Dependence of Drain Current Variability Components in Extremely Narrow GAA Silicon Nanowire MOSFETs down to 2nm Width
Pub Date : 2021-09-09 DOI: 10.7567/ssdm.2021.a-7-04 Zihao Liu, T. Mizutani, T. Saraya, M. Kobayashi, T. HiramotoThe Impact of Self-Heating Effect on Noise Margin and Propagation Delayof Complementary FET Inverter
Pub Date : 2021-09-09 DOI: 10.7567/ssdm.2021.a-7-03 Songhan Zhao, Wangyong Chen, Linlin Cai, Gang DuGaN-on-Si Power Device Platform: Epitaxy, Device, Reliability and Application
Pub Date : 2021-09-09 DOI: 10.7567/ssdm.2021.d-7-01 Roy King-Yuen Wong
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