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1985 International Electron Devices Meeting - 最新文献
Monolithic integration of Si MOSFETs and GaAs MESFETs
Pub Date : 1986-04-01 DOI: 10.1109/EDL.1986.26358 H.K. Choi, G. Turner, B. TsaurA trench transistor cross-point DRAM cell
Pub Date : 1985-12-01 DOI: 10.1109/IEDM.1985.191075 W. Richardson, D. Bordelon, G. Pollack, A. Shah, S. Malhi, H. Shichijo, S. Banerjee, M. Elahy, R. Womack, C.-P. Wang, J. Gallia, H. Davis, P. ChatterjeeA high transconductance GaAs MESFET with reduced short channel effect characteristics
Pub Date : 1985-12-01 DOI: 10.1109/IEDM.1985.190897 K. Ueno, T. Furutsuka, H. Toyoshima, M. Kanamori, A. Hagashisaka
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