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on-line: 2993-1576
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IEEE Transactions on Materials for Electron Devices - 最新文献
Ultrawide Bandgap AlN Trench Metal-Oxide-Semiconductor Transistors (MOSFETs) on Single-Crystal AlN Substrates
Pub Date : 2025-08-20 DOI: 10.1109/TMAT.2025.3601062 Bingcheng Da;Dinusha Herath Mudiyanselage;Dawei Wang;Ziyi He;Junzhe Xie;Houqiang FuVat Photopolymerization of Al2O3/Borosilicate Glass Low Temperature Co-Fired Ceramic Substrates With Integrated Micropore Patterning Device
Pub Date : 2025-08-13 DOI: 10.1109/TMAT.2025.3598753 Yizhen Chu;Yujuan Zhou;Mingyong Jia;Qianshun Cui;Haiyuan Shi;Zhifeng Huang;Fei ChenBEOL-Compatible 5.6 nm Ultrathin HZO With Molybdenum Nitride Electrode and IN2O3 Channel Devices for Enhanced Ferroelectricity and Reliability
Pub Date : 2025-07-07 DOI: 10.1109/TMAT.2025.3586809 Li-Cheng Teng;Yu-Che Huang;Shin-Yuan Wang;Yu-Hsien Lin;Chao-Hsin Chien
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