刘云圻/魏大程团队《Adv. Mater.》：提出自锚定范德华堆叠生长机理 - 实现过渡金属二硫族化合物纳米片的阵列生长
高分子科技
2024-08-22 11:41
文章摘要
刘云圻/魏大程团队在《Advanced Materials》上发表了一项关于过渡金属二硫族化合物（TMDs）纳米片阵列生长的研究。研究团队提出了一种新的自锚定范德华堆叠生长机理，通过盐辅助生长过程中的化学刻蚀，实现了纳米片的阵列生长。这一方法克服了传统化学气相沉积法中随机形核和晶体随机生长的问题，为电子和光电阵列器件的应用提供了新的可能性。研究结果展示了纳米片的结构表征和光电性能测试，为未来的器件设计和应用奠定了基础。
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