Light | 基于三族氮化物半导体的非易失感存算一体集成器件
中国光学
2024-07-01 16:04
文章摘要
随着人工智能和物联网技术的发展,数据存储与处理速度成为技术瓶颈。中国科学院长春光学精密机械与物理研究所的科研团队开发了一种基于III-氮化物半导体的非易失性光电双工忆阻器,该器件结合了AlScN和GaN材料的特性,实现了电和光两种存储模式下的高性能。这种忆阻器不仅在电存储性能上表现优异,还具备光控存储特性,为智能计算和数据存储技术提供了新的解决方案。未来,研究团队计划优化材料和探索多态存储机制,以推动感存算一体化技术的发展。
本站注明稿件来源为其他媒体的文/图等稿件均为转载稿,本站转载出于非商业性的教育和科研之目的,并不意味着赞同其观点或证实其内容的真实性。如转载稿涉及版权等问题,请作者速来电或来函联系。