文章摘要
背景:二维单晶金属氧化物在自旋电子学、神经形态计算等前沿领域具有巨大潜力,但传统方法难以控制非层状氧化物的成核取向,导致多晶和缺陷,且难以剥离转移。研究目的:温州大学张礼杰、王舜教授联合麻省理工孔敬教授、香港科技大学罗正汤教授,开发一种云母范德华表面重构策略,通过热退火去除钾离子,暴露出三重对称氧原子面,打破成核能量简并,引导金属氧化物(Co,Fe,Ni,Mn等)严格单向生长并无缝缝合为厘米级单晶薄膜。结论:该策略在500°C低温下成功合成11种高质量二维氧化物及其掺杂体,实现了原子级厚度和极佳普适性。铁掺杂CoO薄膜表现出室温铁磁半导体特性,居里温度高达430K,磁易轴沿特定方向,同时保持半导体输运特性(带隙~2.3eV)。DFT计算表明Fe3d-O2p强杂化增强超交换作用。薄膜可无损转移至任意衬底,为量子物理、自旋电子器件提供理想材料平台。
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