广东工业大学陈旭东/汪成/钟世龙课题组《Sci. China Mater.》：破解光刻与遮光“两难” - 本征型黑色光敏聚酰亚胺助力高精度线路板制备

随着电子器件向高功率密度与高集成度发展，先进封装中杂散光引发的漏电风险要求介电材料具备可见光屏蔽能力。传统光敏聚酰亚胺(PSPI)透明度高，难以满足需求。本征黑色光敏聚酰亚胺(BPSPI)虽能吸收可见光，但着色基团与光敏基团在紫外区存在吸收竞争，导致光刻与遮光矛盾。广东工业大学陈旭东/汪成/钟世龙团队通过主链与侧链空间分离设计策略，以4,4'-二氨基二苯胺(NDA)为着色单体、含1,4-二氢吡啶的二胺(PM)为光敏单体，与均苯四甲酸二酐共聚，实现了可见光吸收与光刻灵敏度的平衡。所得BPSPI薄膜明度指数L*低至21.39，截止波长约555 nm，热分解温度约363.5 ℃。进一步利用光诱导钯锚定与全加成化学镀铜工艺，在BPSPI表面直接制备了分辨率达40 μm/80 μm的铜线路，剥离强度达16.6 MPa，热膨胀系数低至18.8×10⁻⁶ K⁻¹，并具有良好的弯折导电稳定性。该研究为先进封装与高密度互连提供了集成光屏蔽、图案化与金属化的新型平台材料。