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本文研究背景为锡（Sn²⁺）卤化物钙钛矿因其缺陷容忍性和高电子性能成为理想半导体平台，但其化学柔软性导致电子基态不稳定。研究目的是提出挥发性辅助配位策略，通过瞬态醋酸根配位与挥发作用重构钙钛矿表面，将反应性SnI₂终止表面转化为化学平衡且缺陷缓解的界面，从而抑制与配位不足锡相关的陷阱态并稳定局部化学计量比。结论表明，该策略成功制备出具有近零阈值电压、高开关比（超过10⁸）的p型晶体管，并在100℃环境下稳定运行超过1个月，显著增强了环境稳定性。研究证实挥发性辅助表面重构是有效方法，为开发耐用的Sn²⁺基器件提供了通用策略。