研究前沿：重庆大学，二维半导体GaSe-应变硬化 | Nature Materials

背景：范德瓦尔斯(vdW)半导体因其塑性而成为下一代电子器件的候选材料，但以往未能实现应变硬化和较大的均匀拉伸延伸率。研究目的：本研究旨在探索二维半导体GaSe在特定加载条件下的力学行为，揭示其应变硬化机制和拉伸延展性。结论：重庆大学和南方科技大学的研究团队发现，当沿特定角度加载时，GaSe单晶表现出超过40%的均匀拉伸延伸率和显著应变硬化。离域的层间剪切机制——相邻vdW层间的交替滑移——使应变均匀化并抑制局域化，驱动了ε相到γ相的转变，产生了新的vdW应变硬化机制。该现象在InSe和SnSe₂等其他过渡金属硫族化合物中也得到验证，表明机制具有普适性。这些发现修正了vdW半导体的力学范式，有望应用于柔性和可拉伸电子器件。