JACS | 激光诱导一维纳米线液相生长新路径

背景：锗（Ge）作为重要的第四族半导体材料，在高速电子器件领域应用潜力巨大，但如何在低温条件下实现高质量、有序排列且具有良好外延界面的锗纳米线阵列，是纳米材料合成和半导体集成工艺领域的重大挑战。研究目的：上海交通大学刘思羽副教授研究团队提出一种激光诱导液-液-固（Laser-SLS）新策略，旨在溶液环境中直接从锗衬底上实现单晶锗纳米线的外延生长，并利用激光诱导周期性表面结构（LIPSS）过程获得有序、垂直排列的纳米线阵列，同时改善n型锗器件的接触性能。结论：该研究首次在溶液环境中一步实现了半导体纳米线的垂直外延阵列生长与集成，无需光刻辅助即可获得有序阵列，并通过高质量外延界面与Bi掺杂有效解决了n型锗器件的接触电阻问题，为先进CMOS器件与后端兼容的三维集成工艺提供了新思路。