张荣院士领衔！厦门大学，范德华异质结-自旋电子学 | Advanced Materials

本文基于张荣院士团队在Advanced Materials上发表的研究，报道了在Fe₃GaTe₂/InSe/Fe₃GaTe₂范德华异质结中实现的多态反对称磁电阻（ASMR）信号。背景：铁磁性范德华异质结在下一代自旋电子学中具有关键作用，特别是反对称磁电阻在多态存储和逻辑运算方面潜力巨大，但实现稳定性能和多样化多态功能仍是重大挑战。研究目的：为了在广泛条件下获得稳定的ASMR信号并提升存储密度，该研究利用Fe₃GaTe₂/InSe/Fe₃GaTe₂结构，探索通过调整测量配置实现多态功能。结论：该异质结器件可在高达320K温度下运行，获得了常规三态及非常规四态ASMR（高阻态、中间1阻态、中间2阻态、低阻态），偏置电流（0.01–100 µA）和磁场角度（0°–360°）大幅变化下表现优异信号稳定性。由于Fe₃GaTe₂与InSe之间完美的费米能级对齐，器件结电阻极低（几千欧姆），与CMOS电路高度兼容，为未来高密度、高稳定性多态存储应用奠定了坚实基础。