华南理工王志明课题组 Angew：硼锁氮杂八元环策略构建高效率、低滚降和抗聚集猝灭特性的窄发射OLED

该研究针对有机发光二极管（OLED）中多重共振（MR）材料在高掺杂浓度下因聚集导致光谱展宽、效率滚降和聚集诱导淬灭（ACQ）等问题，提出了一种硼锁氮杂八元环策略。研究背景在于现有MR分子需在低掺杂浓度下才能实现最佳性能，但工艺控制困难。研究目的旨在开发兼具窄发射、高效率和抗聚集特性的新型发光材料。研究团队基于氮杂八元环核心8NN，通过引入单个/多个硼原子锁环构筑B/N单元，开发了8NN-1B和8NN-2B两种材料。这些材料增强了MR效应，并表现出聚集诱导发光（AIE）和聚集窄化发光（ANE）特性。通过电子效应调控，显著减小了单重态-三重态能隙（ΔEST），并增强了自旋-轨道耦合（SOC）。结论表明，基于8NN-2B的无敏化剂器件在低掺杂浓度下实现了32.20%的最大外量子效率（EQE），在1000 cd m⁻²亮度下仍保持29.10%，滚降不超过10%。即使在10 wt%高掺杂浓度下，器件的色纯度和效率也保持良好，分别为29.68%和31.01%的EQE。该策略有效解决了MR材料在高浓度下的聚集问题，为开发高性能窄带OLED提供了新思路。