吉大李茂教授课题组 Angew：离子精准聚合物电合成与忆阻器

该研究聚焦于具有低偏压与多步响应特性的负微分电阻（NDR）现象，旨在应对器件小型化、低功耗及高速开关等领域的需求。在有机/无机半导体领域，由于本征构效关系研究瓶颈，高性能NDR材料的设计原则与响应机制尚不明确。吉林大学李茂教授课题组通过固相电合成方法，成功实现了共轭聚合物主链阳离子与对阴离子的同时序列可控合成，有效限制了离子交换。研究表明，离子迁移是降低NDR偏压和丰富其功能的关键，操控偏压从1.75 V大幅降低至0.13 V，并观测到偏压低至0.13 V的三重NDR峰，理论上有望大幅简化集成电路连接结构并提升能效。此外，该工作制备的忆阻器具有优异性能，为构建多值逻辑和类神经计算等新型集成器件提供了新思路。