武汉理工大学刘勇团队AEnM：扭转角工程赋能原子层级钙钛矿/WSe₂异质结高性能光电响应

本文针对卤化物钙钛矿/二维范德华半导体异质结中扭转角对界面耦合与光电性能影响机制不清的问题，武汉理工大学刘勇团队系统研究了原子层级(PEA)₂PbBr₄/WSe₂异质结在0°至15°扭转角下的性能。研究发现：随着扭转角增大，层间耦合增强，表现为Raman声子硬化、PL红移与猝灭及有效type-II带隙收窄；15°异质结在405nm光照下实现了2.8 A W⁻¹的光响应度、2.33×10⁵的开关比和117.1 cm² V⁻¹ s⁻¹的迁移率。该工作将“扭转角工程”拓展至钙钛矿/二维半导体异质结，建立了“扭转角—界面耦合—能带演化—光电响应”的构效关联。