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高分子科学前沿 2026-05-06 10:00
文章摘要
本文针对三维集成电路和高性能芯片散热难题,提出一种由MoS₂/MoSSe/WSe₂构成的三层范德华异质结构。研究背景在于芯片内部热量需垂直高效导出同时阻止反向热流,传统热整流器尺寸大且局限于平面方向。研究目的是通过在纳米尺度实现可调控的垂直非对称声子输运。结论表明,通过引入Janus材料MoSSe并调控界面扭转角,热输运非对称性可在23%到104%之间连续调节。实验结合分子动力学模拟揭示,不同界面声子模式贡献差异是产生非对称性的核心原因。在器件测试中观察到最高3.9 K的温度降低效果,该结构厚度小于5纳米,有利于集成应用,为实现芯片级智能热管理提供了新思路。
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